MOSFET CANAL-N SMD 75V 195A (25 GRADOS) 160A (100 GRADOS)
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido ultra baja (RDS(on))
Capacidad mejorada de dV/dT y dI/dT
Temperatura de operación de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tj máx.
Libre de plomo (Lead-Free) y conforme a RoHS
Calificado para uso automotriz
Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices, este HEXFET® Power MOSFET utiliza las técnicas de procesamiento más recientes para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Otras características de este diseño incluyen una temperatura de unión de operación de 175 °C, alta velocidad de conmutación y una calificación mejorada para avalancha repetitiva. Estas características en conjunto hacen de este diseño un dispositivo sumamente eficiente y confiable para aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.
