1 mes de $98.00 sin intereses | Total $98.00 |
3 meses de $35.25 | Total $105.75 | |
6 meses de $18.35 | Total $110.08 | |
9 meses de $12.72 | Total $114.50 | |
12 meses de $9.95 | Total $119.39 | |
18 meses de $7.11 | Total $127.90 | |
24 meses de $5.75 | Total $138.00 |
3 meses de $35.38 | Total $106.15 | |
6 meses de $18.45 | Total $110.70 | |
9 meses de $12.91 | Total $116.19 | |
12 meses de $10.13 | Total $121.59 | |
18 meses de $7.28 | Total $130.96 | |
24 meses de $5.92 | Total $142.13 |
El FDPF20N50FT es un transistor MOSFET N-Channel de alta potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Utiliza la tecnología UniFET™ de ON Semiconductor, que combina las ventajas de la tecnología planar stripe y DMOS para ofrecer una baja resistencia en estado de conducción y un rendimiento superior en conmutación. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones como corrección del factor de potencia (PFC), fuentes de alimentación de paneles planos (FPD), fuentes de alimentación ATX y balastos electrónicos para lámparas.
Voltaje de ruptura Drain-Source (Vds): 500 V
Corriente continua de drenaje (Id) a 25 °C: 20 A
Resistencia en estado de conducción (Rds(on)): 260 mΩ a Vgs = 10 V y Id = 10 A
Voltaje de umbral de puerta a fuente (Vgs(th)): 3 V (máx.)
Carga de puerta (Qg): 65 nC
Capacitancia de entrada (Ciss): 3390 pF a Vds = 25 V
Voltaje máximo de puerta a fuente (Vgs): ±30 V
Tiempo de subida (Rise Time): 120 ns
Tiempo de bajada (Fall Time): 60 ns
Potencia máxima de disipación (Pd): 38.5 W a Tc = 25 °C
Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C
Tipo de encapsulado: TO-220F-3
Convertidores de potencia conmutados
Corrección activa del factor de potencia (PFC)
Fuentes de alimentación de paneles planos (FPD)
Fuentes de alimentación ATX
Balastos electrónicos para lámparas