SKU: 10859
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Descripción

Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) con diodo de recuperación suave ultrarrápido

  • Características

    • IGBT estándar tipo CoPack de velocidad normal

    • Caída de voltaje extremadamente baja: 1.1 V (típica) @ 2A

    • Serie S: minimiza la disipación de potencia hasta 3 kHz de frecuencia PWM en variadores de inversores, y hasta 4 kHz en variadores de motores DC sin escobillas

    • Distribución de parámetros muy ajustada

    • IGBT co-encapsulado con diodos HEXFRED™ ultrarrápidos y de recuperación ultra-suave, diseñados para configuraciones en puente

    • Encapsulado estándar industrial TO-252AA

    • 3 Pines

DATASHEET